La technologie hybride du transistor IGBT BiMOSFET IXBX75N170A offre une impédance d'entrée très élevée, simplifiant grandement le circuit de commande de grille. En éliminant le besoin de pilotes de grille complexes et coûteux, ce composant permet de concevoir des cartes électroniques plus compactes, plus légères et nettement plus économiques à produire.
Capable de gérer un courant continu de 65A sous une tension de blocage de 1700V, ce composant de commutation rapide réduit le stress électrique subi par les inductances et les condensateurs de filtrage. Vos systèmes de découpage de puissance gagnent immédiatement en silence de fonctionnement et en régularité de flux.
| Tension maximale | 1,7 kV |
| Courant permanent | 65 A |
| Dissipation maximale | 1,04 kW |
| Technologie boîtier | PLUS247 |
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